【NEX2023】第十七届中国新能源国际博览会暨高峰论坛开幕在即

小编历史风云81

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利用纳米锥形光纤在5K时产生应变,国新国际高峰同时探测WSe2单层的近场光响应。引言WSe2单层是直接带隙半导体,博览其光学特性受束缚电子-空穴对(即激子)的存在所支配。

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作者使用纳米雕刻的锥形光纤的尖端实现WSe2单层的局部形变,论坛并光学探测该区域。因此,开幕在高应变时,局部应变对激子性质的精确影响还未被详细研究。文献链接:届中ProbingdarkexcitonnavigationthroughalocalstrainlandscapeinaWSe2monolayer.2021,NatureCommunications,DOI:10.1038/s41467-021-27877-2.本文由纳米小白供稿欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,届中投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信:cailiaokefu.。

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自由暗激子在其长寿命期间被汇集到高应变区域,国新国际高峰并且是低温下漂移和扩散的主要参与者。WSe2是更大类别的半导体过渡金属二卤族化合物(TMDs)的成员,博览它有几个吸引人的特性:其单层具有光学暗激子基态,博览可以容纳单光子源,并具有潜在的激子漏斗。

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这项最新研究通过在低温下动态生成亚微米尺度(~100nm)的应变,论坛系统地阐述了局部施加应变对WSe2单层中自由(与缺陷束缚相反)激子的作用。

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